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意法 元器件 STGW28IH125DF
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有效期至: 长期有效
最后更新: 2022-11-24 20:11
 
详细信息

品牌

ST/意法半导体

封装

TO-247-3

批次

2021

数量

18708

制造商

STMicroelectronics

产品种类

IGBT 晶体管

RoHS

技术

Si

封装 / 箱体

TO-247-3

安装风格

Through Hole

配置

Single

集电极—射极饱和电压

2.65 V

栅极/发射极最大电压

20 V

在25 C的连续集电极电流

60 A

Pd-功率耗散

375 W

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 175 C

系列

STGW28IH125DF

集电极最大连续电流 Ic

30 A

商标

STMicroelectronics

栅极—射极漏泄电流

250 nA

产品类型

IGBT Transistors

工厂包装数量

600

子类别

IGBTs

单位重量

38 g

可售卖地

全国

型号

STGW28IH125DF


技术参数

品牌:ST/意法半导体
型号:STGW28IH125DF
封装:TO-247-3
批次:2021
数量:18708
制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
RoHS:
技术:Si
封装 / 箱体:TO-247-3
安装风格:Through Hole
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:1.25 kV
集电极—射极饱和电压:2.65 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:60 A
Pd-功率耗散:375 W
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 175 C
系列:STGW28IH125DF
集电极最大连续电流 Ic:30 A
商标:STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流:250 nA
产品类型:IGBT Transistors
工厂包装数量:600
子类别:IGBTs
单位重量:38 g


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