品牌
ST/意法半导体
封装
TO-247-3
批次
2021
数量
18708
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW28IH125DF
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
可售卖地
全国
型号
STGW28IH125DF
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STGW28IH125DF |
封装: | TO-247-3 |
批次: | 2021 |
数量: | 18708 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | IGBT 晶体管 |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
封装 / 箱体: | TO-247-3 |
安装风格: | Through Hole |
配置: | Single |
集电极—发射极最大电压 VCEO: | 1.25 kV |
集电极—射极饱和电压: | 2.65 V |
栅极/发射极最大电压: | 20 V |
在25 C的连续集电极电流: | 60 A |
Pd-功率耗散: | 375 W |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
系列: | STGW28IH125DF |
集电极最大连续电流 Ic: | 30 A |
商标: | STMicroelectronics |
栅极—射极漏泄电流: | 250 nA |
产品类型: | IGBT Transistors |
工厂包装数量: | 600 |
子类别: | IGBTs |
单位重量: | 38 g |