品牌
ON安森美
数量
3823
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-FL-8
晶体管极性
N-Channel
通道数量
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
37 A
Rds On-漏源导通电阻
17.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Qg-栅极电荷
7.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
28 W
通道模式
Enhancement
配置
Single
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ON Semiconductor
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
43 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
7 ns
单位重量
107.200 mg
可售卖地
全国
型号
NTMFS5C468NLT1G
技术参数
| 品牌： | ON安森美 |
| 型号： | NTMFS5C468NLT1G |
| 数量： | 3823 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-FL-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 37 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 17.6 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 7.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 28 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | ON Semiconductor |
| 下降时间： | 2 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 43 ns |
| 工厂包装数量： | 1500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 11 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7 ns |
| 单位重量： | 107.200 mg |