品牌
美台
批次
X3-DSN2718-6
数量
6552
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X3-DSN2718-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
16.6 A
Rds On-漏源导通电阻
5 mOhms, 5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
Qg-栅极电荷
35.2 nC, 35.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
3812 ns, 3812 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1447 ns, 1447 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
2736 ns, 2736 ns
典型接通延迟时间
615 ns, 615 ns
零件号别名
DMN1006UCA6-7-01
单位重量
7.800 g
可售卖地
全国
型号
DMN1006UCA6-7
技术参数
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | DMN1006UCA6-7 |
| 批次： | X3-DSN2718-6 |
| 数量： | 6552 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | X3-DSN2718-6 |
| 通道数量： | 2 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 16.6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 5 mOhms, 5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 12 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV |
| Qg-栅极电荷： | 35.2 nC, 35.2 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2.4 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 商标： | Diodes Incorporated |
| 下降时间： | 3812 ns, 3812 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 1447 ns, 1447 ns |
| 工厂包装数量： | 3000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 2736 ns, 2736 ns |
| 典型接通延迟时间： | 615 ns, 615 ns |
| 零件号别名： | DMN1006UCA6-7-01 |
| 单位重量： | 7.800 g |