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品牌
美台
数量
16943
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
50 V
Id-连续漏极电流
200 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
500 mV
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
1 mm
长度
2.9 mm
系列
BSS138
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.3 mm
正向跨导 - 最小值
100 mS
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
28 mg
可售卖地
全国
型号
BSS138-7-F
技术参数
| 品牌： | DIODES/美台 |
| 型号： | BSS138-7-F |
| 数量： | 16943 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 50 V |
| Id-连续漏极电流： | 200 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.5 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 500 mV |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 300 mW |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | BSS138 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 100 mS |
| 典型关闭延迟时间： | 20 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 单位重量： | 28 mg |
