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BSC009NE2LS MOS(场效应管) 电子元器件图1

BSC009NE2LS MOS(场效应管) 电子元器件

2022-12-09 19:12750询价
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品牌

英飞凌

封装

TDSON-8

批号

22+原厂代理

数量

25000

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TDSON-8

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

100 A

Rds On-漏源导通电阻

1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

20 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1 V

Qg-栅极电荷

168 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

96 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

资格

AEC-Q101

高度

1.27 mm

长度

5.9 mm

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

5.15 mm

正向跨导 - 最小值

85 S

下降时间

19 ns

上升时间

33 ns

典型关闭延迟时间

48 ns

典型接通延迟时间

10 ns

零件号别名

BSC009NE2LSATMA1 SP000893362 BSC9NE2LSXT BSC009NE2

单位重量

110 mg

可售卖地

全国

型号

BSC009NE2LS

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