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STD4N80K5 场效应管 ST/意法图1

STD4N80K5 场效应管 ST/意法

2022-11-11 16:53580询价
价格:¥0.80/个
发货:3天内
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品牌

意法

封装

TO-252-3

批次

21+

数量

5000

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

晶体管极性

N-Channel

通道数量

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Id-连续漏极电流

3 A

Rds On-漏源导通电阻

2.1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

Vgs th-栅源极阈值电压

4 V

Qg-栅极电荷

10.5 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

60 W

通道模式

Enhancement

配置

Single

系列

STD4N80K5

晶体管类型

1 N-Channel

下降时间

21 ns

上升时间

15 ns

典型关闭延迟时间

36 ns

典型接通延迟时间

16.5 ns

单位重量

4 g

可售卖地

全国

型号

STD4N80K5


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