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STD13NM60N 场效应管 ST/意法图1

STD13NM60N 场效应管 ST/意法

2022-11-11 17:36620询价
价格:¥0.80/个
发货:3天内
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品牌

意法

封装

TO-252-3

批次

21+

数量

10000

制造商

STMicroelectronics

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

TO-252-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Id-连续漏极电流

11 A

Rds On-漏源导通电阻

360 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

25 V

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

90 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

系列

STD13NM60N

晶体管类型

1 N-Channel

下降时间

10 ns

上升时间

8 ns

典型关闭延迟时间

30 ns

典型接通延迟时间

3 ns

单位重量

520 mg

可售卖地

全国

型号

STD13NM60N


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