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品牌
德州仪器
封装
XFDFN3
批次
21+
数量
8000
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PICOSTAR-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
2.1 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Vgs th-栅源极阈值电压
650 mV
Qg-栅极电荷
1060 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
500 mW (1/2 W)
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
0.35 mm
长度
1 mm
系列
CSD13381F4
晶体管类型
1 N-Channel FemtoFET MOSFET
宽度
0.64 mm
下降时间
3.8 ns
上升时间
1.5 ns
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
0.400 mg
可售卖地
全国
型号
CSD13381F4
