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PMF3800SN,115 场效应管 NXP/恩智浦图1

PMF3800SN,115 场效应管 NXP/恩智浦

2022-11-12 09:40530询价
价格:¥0.80/个
发货:3天内
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品牌

恩智浦

封装

SOT-323

批次

21+

数量

86755

制造商

NXP USA Inc.

系列

TrenchMOS™

FET 类型

N 通道

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

260mA(Ta)

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.3V @ 1mA

Vgs(最大值)

±15V

功率耗散(最大值)

560mW(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SC-70,SOT-323

可售卖地

全国

类型

分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET -

型号

PMF3800SN,115


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