品牌
安森美
数量
16183
湿气敏感性等级 （MSL）
1（无限）
产品族
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列
QFET®
FET 类型
N 通道
漏源电压（Vdss）
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16.8A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±25V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品
型号
FQD20N06TM
技术参数
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | FQD20N06TM |
| 数量： | 16183 |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | QFET® |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 16.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 63 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 15nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 590pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值）： | 2.5W（Ta），38W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
京公网安备 11011402013499号
18612249812