品牌
TI
封装
22+
批次
VSONP8
数量
36274
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
1 mm
长度
5.75 mm
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
4.9 mm
下降时间
1.7 ns
上升时间
6.3 ns
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86 mg
可售卖地
全国
型号
CSD18563Q5A
技术参数
| 品牌： | TI |
| 型号： | CSD18563Q5A |
| 封装： | 22+ |
| 批次： | VSONP8 |
| 数量： | 36274 |
| 制造商： | Texas Instruments |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | VSONP-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6.8 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.7 V |
| Qg-栅极电荷： | 15 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 116 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1 mm |
| 长度： | 5.75 mm |
| 系列： | CSD18563Q5A |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 宽度： | 4.9 mm |
| 下降时间： | 1.7 ns |
| 上升时间： | 6.3 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 11.4 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.2 ns |
| 单位重量： | 86 mg |
京公网安备 11011402013499号
18612249812