品牌
TI
封装
2203+5
批次
VSONP8
数量
1900
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
Qg-栅极电荷
6.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16404Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.9 mm
正向跨导 - 最小值
57 S
下降时间
4.6 ns
上升时间
13.4 ns
典型关闭延迟时间
8.4 ns
典型接通延迟时间
7.8 ns
单位重量
85.300 mg
可售卖地
全国
型号
CSD16404Q5A
技术参数
品牌: | TI |
型号: | CSD16404Q5A |
封装: | 2203+5 |
批次: | VSONP8 |
数量: | 1900 |
制造商: | Texas Instruments |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | VSONP-8 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 25 V |
Id-连续漏极电流: | 100 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 5.7 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 16 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V |
Qg-栅极电荷: | 6.5 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 150 C |
Pd-功率耗散: | 3 W |
配置: | Single |
通道模式: | Enhancement |
高度: | 1 mm |
长度: | 6 mm |
系列: | CSD16404Q5A |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
宽度: | 4.9 mm |
正向跨导 - 最小值: | 57 S |
下降时间: | 4.6 ns |
上升时间: | 13.4 ns |
典型关闭延迟时间: | 8.4 ns |
典型接通延迟时间: | 7.8 ns |
单位重量: | 85.300 mg |