品牌
ST
封装
TO-220F
批次
19+
数量
1000000
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
FET 类型
N 通道
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Tc）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
Vgs（最大值）
±25V
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET -
型号
STF10NM60N
技术参数
| 品牌： | ST |
| 型号： | STF10NM60N |
| 封装： | TO-220F |
| 批次： | 19+ |
| 数量： | 1000000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 系列： | MDmesh™ II |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 550 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 19 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 540 pF @ 50 V |
| 功率耗散（最大值）： | 25W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
京公网安备 11011402013499号
18612249812