品牌
ON
封装
SOT23
批次
19+
数量
20000
制造商
onsemi
FET 类型
P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.13A（Ta）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
Vgs（最大值）
±20V
功率耗散（最大值）
400mW（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
可售卖地
全国
类型
分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET -
型号
NTR4502PT1G
技术参数
| 品牌： | ON |
| 型号： | NTR4502PT1G |
| 封装： | SOT23 |
| 批次： | 19+ |
| 数量： | 20000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 1.13A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 200 毫欧 @ 1.95A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 200 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值）： | 400mW（Tj） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
京公网安备 11011402013499号
18612249812