品牌
ST/意法半导体
封装
TO-252-3
批次
2021
数量
14486
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Qg-栅极电荷
65 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
系列
STD120N4F6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
可售卖地
全国
型号
STD120N4F6
技术参数
品牌: | ST/意法半导体 |
型号: | STD120N4F6 |
封装: | TO-252-3 |
批次: | 2021 |
数量: | 14486 |
制造商: | STMicroelectronics |
产品种类: | MOSFET |
RoHS: | 是 |
技术: | Si |
安装风格: | SMD/SMT |
封装 / 箱体: | TO-252-3 |
通道数量: | 1 Channel |
晶体管极性: | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
Id-连续漏极电流: | 80 A |
Rds On-漏源导通电阻: | 4 mOhms |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V |
Qg-栅极电荷: | 65 nC |
最小工作温度: | - 55 C |
最大工作温度: | + 175 C |
Pd-功率耗散: | 110 W |
配置: | Single |
资格: | AEC-Q101 |
商标名: | STripFET |
系列: | STD120N4F6 |
晶体管类型: | 1 N-Channel |
商标: | STMicroelectronics |
产品类型: | MOSFET |
工厂包装数量: | 2500 |
子类别: | MOSFETs |
单位重量: | 4 g |